氣泡對(duì)石英坩堝質(zhì)量的潛在影響

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石英坩堝為半透明狀，分為外層，也叫氣泡復(fù)合層（不透明層，氣泡含量較多），以及中內(nèi)層，也叫氣泡空乏層（真空透明層，不含氣泡，3~5mm）兩層結(jié)構(gòu)。外層需要把來(lái)自加熱器的熱量均勻散射，所以需要規(guī)定數(shù)量和大小的氣泡，從而對(duì)硅熔體均勻加熱；中內(nèi)層是一層3-5mm的透明層，成為氣泡空乏層，對(duì)高純石英砂高純、低鋁、低堿、抗析晶的要求更高。石英坩堝的內(nèi)壁因?yàn)榕c硅熔體接觸，在高溫狀態(tài)下，若內(nèi)壁存在氣泡，氣泡會(huì)導(dǎo)致氣體和雜質(zhì)從坩堝內(nèi)釋放到熔體中從而擾亂到單晶硅的生長(zhǎng)。

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